定义

高温反偏老化系统是一种用于半导体功率器件（如二极管、MOSFET、IGBT、肖特基势垒二极管等）的加速寿命试验设备与测试系统，其工作原理是在器件处于高温环境（通常为 125℃ ~ 175℃）和反向偏置电压（接近或等于其额定击穿电压）的双重应力条件下，持续运行数十至数百小时，以加速暴露器件在长期工作过程中可能出现的漏电流增大、反向击穿电压漂移、钝化层缺陷、金属-半导体接触退化等潜在失效机制。

该系统通过施加高温与高反压的协同应力，激发器件内部的电化学反应与材料退化过程，从而筛选出早期失效品，验证器件在恶劣工况下的长期可靠性，广泛应用于汽车电子、新能源、工业控制、航空航天等领域。

测试服务介绍；

1.老化时间 : 1min ～ 5000h

2.试验能力：共 16 个区，每个区 40 个通道 老化工位 16×80=1280

3.电压测试范围 :0 ～ 2000V

4.漏电流测试范围 :1µA ～ 50mA

5.直流老化电源 :100V/12A、300V/4A、 600V/2A、1500V/1A